氢氧化镍半导体性能测试

来源 :哈尔滨工业大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chxiang007
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氢氧化镍Ni(OH)<,2>的金属氢化物镍电池的正极活性物质,人们在其应用方面做了大量的研究工作.材料的性能是由其微观结构决定的,研究Ni(OH)<,2>电极的发展和研究概况,分析了现有材料存在的问题,介绍了交流阻抗在测定Ni(OH)<,2>半导体性能方面的应用.研究了Ni(OH)<,2>溶液中形成的电沉积膜和KOH溶液中生成的钝化膜.两种方法得到的薄膜的性质上有很大的差异,这可以从循环伏安(CV)和交流阻抗(EIS)的分析结果中看出.相应阻抗元件的变化体现了不同薄膜性质的变化.该文对不同种类的电池用Ni(OH)<,2>进行了比较研究.通过交流阻抗技术(EIS)分析了活性物质的导电性;通过XRD、DTA、IR、XPS检测了各种Ni(OH)<,2>的结构.结果表明,由于α-Ni(OH)<,2>层间存在水分子和其它阴离子,它们和Ni(OH)<,2>层中的羟基-OH结合,构成一种特殊形式的长链,这有利用于H<+>的固相扩散.β-Ni(OH)<,2>层间不存在水分子和阴离子,它的导电性比α-Ni(OH)<,2>差.该文在理论分析的基础上,将交流阻抗技术(EIS)应用于半导体性能研究.结果表明,EIS是研究半导体/溶液界面信息的简便、有效的方法.
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