利用自旋进动将动态微波信号转化为直流电信号的现象,即自旋整流效应。由于其在自旋动力学与微波探测方面研究的优势,自旋整流效应已经成为自旋电子学研究中的一个热点。自旋整流效应在应用中的前景,理论上可通过提高材料的各向异性磁电阻(AMR)来提高自旋整流效应的效率。本文针对金属磁性薄膜材料AMR效应的提高和磁性材料自旋整流效应信号的提高和分析,取得以下主要结论：1.金属薄膜器件AMR效应的研究。首先通过磁控溅射制备了FeNi条带磁性薄膜,通过超净室电子束刻蚀工艺(lift-off)将样品刻蚀成宽度为10微米的线条,然后在不同温度下对样品进行了后处理。由于器件中的非磁性散射,发现所得器件仅有千分之量级的AMR效应。为了减少器件中的非磁性散射,利用溅射速率较快的射频溅射,制备了相同条件下的器件。经过后期处理,FeNi薄膜器件的AMR数值达到了3.2%,接近了FeNi块体材料的AMR(3.8%)。微观结构的测量表明：FeNi薄膜晶粒尺寸的大小和成像的好坏对其各向异性磁电阻的大小有着决定性作用。2.薄膜器件自旋整流效应的研究。通过life-off工艺,将FeNi磁性薄膜制成自旋发电机器件和微米条带器件。发现由于AMR效应的提高,使自旋发电机的自旋整流信号提升了约两个量级,微米条带器件无需共面波导直接通入微波便可以观测到明显的自旋整流信号。并对两种不同器件的自旋整流信号进行了线形拟合,分析了自旋整流信号中的铁磁共振关系以及色散关系,表征了器件的磁性参数和微波磁场极化方向。通过自旋整流效应对自旋进动进行了初步研究。