蓝宝石衬底上制备Tl-2212薄膜

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蓝宝石衬底具有出色的微波性能(较低的介电常数,较低的介电损耗),极高的熔点,并且在空气中物性极其稳定,因此是比较理想的微波应用衬底材料。 本论文研究了蓝宝石衬底上Ce02缓冲层以及TI-2212高温超导薄膜的制备方法和特性,主要目的是探索生长缓冲层和铊膜的最佳条件(温度,压强,溅射功率,时间等)以及这些条件对薄膜生长的影响程度。同时制备了Mg0为衬底,CeO2为缓冲层的TI-2212高温超导薄膜,作为研究和比较。 实验采用RF磁控溅射工艺在蓝宝石衬底上溅射CeO2缓冲层,溅射功率120瓦,溅射气压6Pa(氩氧混合气),溅射时间2小时,选取400-700℃的衬底温度进行实验。通过θ-2θ扫描分析该系列缓冲层的相结构可知:衬底温度在650℃以下会出现非C轴取向的CeO2区域。溅射功率、气压、时长不变的条件下,衬底温度在700℃时可以得到高质量的CeO2外延薄膜。在此基础上,再用两步法在CeO2缓冲层上制备了TI-2212高温超导薄膜,利用XRD的θ-2θ扫描、Ω扫描及Φ扫描分析样品的相结构,结果表明:样品TI-2212相的(100)方向与CeO2的(110)方向平行,且TI-2212薄膜、Ce02缓冲层与蓝宝石衬底之间沿样品表面呈外延生长关系。制备的蓝宝石为衬底的TI-2212薄膜的T。约为104.2K,液氮温度(77K)下临界电流密度J。大于2×106A/cm2,表面电阻Rs约为500~800μΩ(77K,10GHz)。实验结果表明使用此方法可以生长出高质量的TI-2212薄膜。
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