【摘 要】
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上世纪80年代以来,迅猛发展的超大规模集成电路技术给高压大电流半导体注入了新的活力,诞生了一批新型的功率器件,其中最有代表性的产品就是VDMOS场效应晶体管。VDMOS兼有双
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上世纪80年代以来,迅猛发展的超大规模集成电路技术给高压大电流半导体注入了新的活力,诞生了一批新型的功率器件,其中最有代表性的产品就是VDMOS场效应晶体管。VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点,无论是开关应用还是线性应用,VDMOS都是理想的功率器件。VDMOS主要应用于马达驱动、逆变器、不间断电源、电子开关、高保真音、汽车电器和电子镇流器等等电路中。正是因为其应用广泛,所以其面临的辐射环境复杂,为了保证其运用可靠性,对其进行辐照研究就显得日益重要。本文从辐射对器件感应氧化物的影响机理出发来研究辐照对VDMOS器件的总剂量效应;然后设计并完成了VDMOS器件的电离辐照实验,从栅源电压、器件尺寸、温度等几个方面来研究总结了VDMOS器件的总剂量辐照效应。
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