本文利用PECVD制备纳晶硅薄膜,实验选用10%的SiHH4作为硅源,在普通玻璃衬底上沉积了硼掺杂硅薄膜.制备的工艺参数范围如下,沉积温度：350℃-550℃；SiHH4气体流量：10SCCM-50SCCM;射频功率：60W-140W；本底真空度：7.5×10-4Pa；沉积气压：100Pa；沉积时间：30-60min。采用扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射仪(XRD),四探针(Four-Probe)等手段研究了沉积温度,射频功率等参数对硅薄膜的结构,电学性质的影响。结果表明：PECVD制备掺B硅薄膜时,随着衬底温度的增加,电阻率先降低后升高,在450℃～500℃的温度范围内有利于B元素掺入硅薄膜之中；掺B时不同射频功率制备硅薄膜的电阻率,随着入射功率的增加,电阻率先降低后升高,入射功率为100W与60W时比较下降一个数量级,由此说明,高于60W射频功率时有利于B元素掺入硅薄膜之中.运用CS350电化学工作站测量了硅薄膜的腐蚀过程,研究了硅薄膜制备参数如衬底温度和射频功率对其腐蚀率的影响,并观测了氢氟酸浓度对腐蚀后的硅薄膜的表面形貌的影响。结果表明,衬底温度为500℃和射频功率为100W时制备的硅薄膜腐蚀速率较快,抗腐蚀性能较差。