【摘 要】
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在该论文中,作者研究了在高阻N型单晶硅材料上的条形低能医用X射线探测器.目前半导体X射线探测器的研究集中在PIN结构,选用的材料有Si、GaAS、Ge、HgI、CdTe等.条形低能医用
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在该论文中,作者研究了在高阻N型<100>单晶硅材料上的条形低能医用X射线探测器.目前半导体X射线探测器的研究集中在PIN结构,选用的材料有Si、GaAS、Ge、HgI<,2>、CdTe等.条形低能医用硅X射线探测器能直接探测X射线,形成数字信号,探测器阵列可以形成高分辨率数字X射线影像,利于诊断、计算机处理和网络上的传输,这具有重要的实际意义.为了优化探测器的性能,器件采用端面入射增大器件对X射线的吸收长度,对X射线探测器的结构进行优化探讨;为了更好的理解实验的结果,对器件工作电压下的电场分布进行了数值模拟,并对器件的表面钝化进行研究.
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