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目前,市场上高压产品的应用越来越广泛,发展很快,在集成电路产品中的比重也越来越大,影响力和受关注的程度也越来越高。高压器件的正常工作电压大于8V,普通低压器件的正常工作电压不大于5V。由于高压电路的结构和普通低压器件不尽相同,高压器件的性能也异于普通低压器件。高压器件通常采用RESURF结构,制作在具有外延层的硅片上,外延硅片的成本比较高。对于功率MOS器件,不仅要求比较高的耐压能力,也要求比较高的驱动电流,因此必须有比较低的导通电阻(Rdson),这就要求选取工艺条件在击穿电压和导通电阻(Rdson之间取得平衡。本文所研究的功率MOS器件为横向双扩散MOS器件（LateralDouble-diffused MOS,LDMOS）。功率器件LDNMOS通过在漏端制作带有STI的NGND（N-Type Graded Drain）的结构实现,这实际上是在漏区和沟道之间增加一个N型漂移区;功率器件LDPMOS通过在漏端制作带有STI的PGRD（P-Type GradedDrain）的结构实现,这实际上是在漏有和沟道之间增加一个P型漂移区。这种结构可以降低栅氧化层下漏端电场,并有效地降低导通电阻。从而提高漏的击穿电压,并提高导通电流Ion和饱和电流Idsat。本文将致力于研究将功率LDMOS器件制作在经过氩气热退火的P型硅片,其电阻率在8-12Ω·cm范围。这是一种深亚微米工艺通用的硅片,成本比较低。功率LDMOS器件和0.18μm的1.8V的低压器件、5.0V的中压器件集成到一起。功率LDMOS器件、中压器件、低压器件制作在同一衬底上,通过三阱工艺实现。三种器件分别制作在三个不同的阱中。单边功率LDMOS器件同双边功率LDMOS器件相比,具有比较小的尺寸、集成度高、驱动电流高、速度快等优点,更受欢迎。研究分析功率LDMOS器件（PowerLDMOS）的晶体管沟道长度、漂移区浓度、高压阱区浓度对导通电流Ion和饱和电流Idsat的影响。沟道长度越短、漂移区浓度越大、高压阱区浓度越低,导通电流Ion和饱和电流Idsat就越大。最后找到满足设计要求的优化工艺条件,在保证击穿电压的前提下,得到优化的导通电流Ion和饱和电流Idsat。在生产实践中可以用低成本达到良好的器件性能。