采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)设备,在(100)面GaSb单晶衬底上生长了Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料,它可用来制作非制冷红外探测器。分析了InAs/GaSb超晶格红外材料的生长质量情况,对器件材料结构进行了表征,对材料结构进行了理论分析和优化生长。设计合适的InAs和GaSb的周期厚度,以便有效地抑制俄歇复合。对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料进行了X射线双晶衍射测量,得到外延层与衬底材料的晶格失配仅为-0.43%。利用拉曼散射谱研究了材料的界面层特性,从而可通过选择相应的界面结构来减小界面处的应变,提高材料的生长质量。对于材料的表面形貌,则使用原子力显微镜进行了表征,分析了不同的生长参数对表面形貌的影响,从而可以优化生长参数,使其达到最佳表面形貌的生长。最后,对所生长的InAs/GaSb超晶格结构做了光致发光谱的检测,在77K的温度下得到峰值波长为3.25微米,说明可以作为甲烷气体探测的潜在材料。