混合式高压直流断路器是构建直流电网的核心装备,500kV张北柔性直流电网多采用基于半桥子模块结构的MMC,无法隔离直流故障,开展500kV高压直流断路器研制对保障系统安全、可靠、经济运行至关重要。500kV高压直流断路器的电气应力已接近半导体器件的应用极限,关断暂态过程中IGBT所承受的电压过冲可能会使PN结的反偏电压超过安全限值发生过压失效,杂散电感、器件及驱动特性对IGBT大电流关断暂态电压应力的影响更加突出。因此,针对IGBT关断电压过冲的影响因素研究有着重要意义。本文主要针对IGBT全桥半导体组件的回路、驱动参数对IGBT关断暂态电压过冲的影响规律进行了仿真和理论研究。首先,针对半导体组件开断电流试验中使用的沟槽栅场终止型IGBT提取了模型的参数,搭建了 IGBT器件的机理模型,应用在IGBT全桥半导体组件仿真电路模型中。其次,根据半导体组件仿真电路模型,针对各个机理模型参数对电压过冲的影响规律进行了仿真分析,计算了各个模型参数的灵敏度,简化了 IGBT机理模型参数的提取过程。然后,仿真分析了 IGBT全桥半导体组件回路参数、驱动参数对IGBT关断电压过冲的影响规律和影响程度。最后,对上述参数的影响机理进行了理论分析,推导了以回路、驱动参数为变量的IGBT关断暂态电压峰值表达式。