随着ZnO材料研究的深入，以及在深紫外区光电器件方面应用的不足，ZnMgO作为一种新兴光电材料走入了人们的视野。但同ZnO材料遇到的困难相同，截止到目前，ZnMgO材料高效、稳定、可重复的p型掺杂仍未得到很好的解决，这使得其高效率紫外发光器件的研制受到限制。本论文采用金属有机化学气相沉积（Metal Organic ChemicalVapor Deposition （MOCVD））外延技术，开展了高质量ZnMgO薄膜的制备、ZnMgO材料的p型As掺杂研究以及n-GaN/p-ZnMgO异质结发光器件的制备和特性研究三方面工作。首先，采用MOCVD法，在蓝宝石衬底上进行变温生长ZnMgO薄膜的实验，通过对薄膜晶体质量、表面形貌及光学质量的表征，表明合适的生长温度对高质量的ZnMgO薄膜的制备至关重要，我们得到了优化的生长温度。同时ZnO缓冲层的引入有利于进一步提高薄膜质量。其次，首次采用溅射GaAs夹层的方式，对MOCVD法制备的ZnMgO材料进行p型As掺杂。通过夹层中As原子的热扩散，成功的制备出载流子浓度为10¹⁷cm^-3量级的p-ZnMgO薄膜，找到了实现As原子高效掺杂的生长温度范围。最后，在n-GaN上成功制备出的p-ZnMgO材料，并制作出n-GaN/p-ZnMgO异质结发光器件，电致发光测试表明，该器件实现了发光区主要集中在紫外部分的电致发光。