静电感应晶体管(SIT)是一类新型功率器件。与其它半导体器件相比具有一系列优异的性能,例如电流容量大、耐高压、噪声低、抗辐射能力强、无二次击穿等,而成为很有发展前景的电力半导体器件,在诸多领域都得到了广泛的应用[1]。本论文主要是围绕小功率射频静电感应晶体管的设计与制作而展开的。主要内容如下：详细阐述了静电感应器件的发展历程,对比分析了不同器件结构的优点和缺点,并与其它常用的半导体器件做了简单比较。系统论述了SIT的作用机理、器件结构、I-V电学特性、电流输运机制以及沟道势垒的分布。重点分析了器件的结构参数、材料参数——特别是沟道尺寸和外延层参数等对器件电参数的影响。根据器件性能要求,完成了小功率射频SIT的设计,给出了结构版图。研究制定了小功率射频SIT的制作工艺流程。采用离子注入技术对栅区和源区进行掺杂,以获得良好的栅控性能,结合工艺实验,确定了各环节工艺参数。对小功率射频SIT的电学参数进行全面测试,实测参数值满足设计指标,且部分性能值远优于国内外同类器件的指标水平。例如电压放大系数多在65以上,直流跨导依据偏置条件(状态)的不同处于50-325mS之间,栅-源击穿电压高达25V。测试结果证明所做设计达到预期目标,满足实际应用需求。