随着个人移动设备的不断更新使得移动通讯飞速发展,使得无线通讯越来越受到关注,与此相关的射频电路也倍受关注。VCO是锁相环中的主要构成成分之一,是产生频率的不可缺少的一部分,广泛用于卫星通信终端、手机、雷达、军事通信系统、导弹制导系统、基站、数字无线通信、光发射机、光学多工器等电子系统中。而VCO中的相噪,作为度量其性能的必要特征,也受到越来越多的关注。VCO作为锁相环中的重要构成成分之一,其相噪确定了锁相环的整体噪声。因此对VCO噪声的研究也成为提升锁相环质量,进而提升通讯系统质量的重要一环。与同质结双极型晶体管相比,异质结双极型晶体管具有具有更为优越的频率特性。而作为异质结双极型晶体管一员,GaAs HBT比Si具有除了临界击穿电场高、禁带宽、热导率高、本征温度高、电子饱和速度高等特点,更具有较强的抗辐照性能,因而广泛应用与航天、军事、核辐射等应用领域。本文采用ADS仿真工具对GaAs HBT VCO电路的辐照前后相噪进行仿真。由于ADS中的GaAs HBT小信号噪声模型不够精确导致VCO电路的相噪仿真不够精确。为了解决这一问题必须建立精确的GaAs HBT小信号噪声模型。首先通过采用解析模型方法建立了精确的GaAs HBT小信号模型。综合考虑了基极、发射极、集电极的内外电阻、基-射结电容、基-集结电容以及各个动态电阻对小信号模型的影响,建立了GaAs HBT小信号模型。同时采用分层提取的参数提取方法,通过open和short结构提取寄生参数;通过集电极开路的方法提取外参数;通过分步提取方法提取本征参数。其次在GaAs HBT小信号模型的基础上建立GaAs HBT小信号噪声模型。本文采用传统噪声模型,考虑了影响器件高频特性的热噪声和闪烁噪声。在小信号模型的基础上加入与各个电阻相关的热噪声和与各个电流相关的闪烁噪声。该模型通过实验证明了其具有很好的精度,达到预期目标。本文通过在VCO电路中加入先前确定的比较精确的GaAs HBT小信号噪声模型,进行相噪的仿真。首先对VCO电路进行辐照之前的相噪仿真。再通过调节电路中元件的参数值,使得仿真结果和实验值相一致。最后得出了辐照之后电路中的元件的变化趋势,并结合简单的LC差分耦合压控振荡器电路的相位噪声模型进行分析。通过实验和分析表明辐照前后电路中电容的变化比较大,对辐照前后相位噪声影响最大。同时辐照前后电容的较大的变化也使得品质因数对辐照前后相位噪声影响最大。