横向高压功率器件LDMOS(Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有耐高压、增益大、动态范围宽、失真低和易于和低压电路工艺兼容等特点。随着半导体工艺技术的不断成熟,LDMOS越来越广泛地应用于功率集成电路及智能功率集成电路中。射频大功率LDMOS由于具有P、L波段以上的工作频率和高的性价比而成为3G手机基站射频放大器的首选器件。因此,对LDMOS器件的电学特性研究与建模有着重要实际意义。本文使用器件模拟软件ISE,建立了射频LDMOS的器件模型,比较了射频LDMOS器件的击穿电压和衬底浓度、漂移浓度、沟道浓度的关系,分析了RESURF技术原理,验证了RESURF技术对提高LDMOS击穿电压的作用。最后,通过对各个参数的模拟比较,得到了优化的射频LDMOS结构,在大量模拟实验的基础上,为最终射频LDMOS的设计奠定了数据基础。文章使用二维器件模拟软件ISE,模拟并研究了RF-LDMOS栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs与栅源电压Vgs及漏源电压Vds的关系;研究了栅氧化层厚度,漂移区浓度,沟道区浓度等参数对Cgd的影响。并验证了喙栅结构具有比普通结构更优异的射频特性。本文研究了60 V-LDMOS器件在ESD(electrostatic discharge)应力下的击穿机理,并分析比较了目前流行的LDMOS器件的静电保护结构:深漏极的双RESURF结构、SCR-LDMOS结构、HST-LDMOS结构,提出了适合我们自己开发的LDMOS的静电保护钳位方案,为LDMOS的静电保护设计指明了方向。本文提出并研究了采用双RESURF技术的槽栅横向双扩散MOSFET( DRTG-LDMOS )。重点讨论了RESURF技术对击穿电压的影响和DRTG-LDMOS的电容特性。与传统的LDMOS器件结构相比,新结构在相同的漂移长度和导通电阻下,击穿电压提高了60 V,并表现出优异的频率特性。