ZnO薄膜的光电子能谱研究表明:1)对某些条件下生长的薄膜,光致发光谱中存在的绿光发光峰来源于薄膜中介于Vo和Oi中间价态的氧;2)对首次利用溅射夹层GaAs方法制备的As掺杂的ZnO薄膜,O2下退火比较容易控制As的价态,有利于形成p型掺杂。首次采用ErF3到Alq3中的方法制作了1.53μm电发光的有机发光二极管,在相同电流的情况下采用ErF3掺杂方法所制备的OLED器件其近红外区的电致发光强度是Er(DBM)3Phen基器件的4倍。并采用光电子能谱对ErF3和LiF掺杂的Alq3进行了对比研究,结果表明LiF掺杂的Alq3中LiF与Alq3之间产生了激子; ErF3掺杂的Alq3中生成了Erq3和AlF3。在商用变温光电子能谱仪上,配合自主创新设计的微量进气枪,使光电子能谱仪具有气体传感器在线检测的功能,并对SnO2基CO气体进行了在线研究。XPS测试结果显示,元件在与气体作用时,吸附氧的含量明显减少,U PS测试结果显示:样品获得了电子。同时对SnO2中的添加剂进行了初步研究。