铜的化合物在催化剂、光电转换、太阳能电池和传感器等方面都有重要应用,阳极氧化法是一种常见的薄膜制备方法,它具有工艺简单、成本低、可控性好等优点,因此,本论文采用阳极氧化法制备叶片状Cu₃（PO₄）₂·3H₂O薄膜、n-Cu₂O薄膜和其它形貌铜基薄膜,分别用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）、X射线光电子能谱仪（XPS）等对样品的形貌、结构和化学组分进行了表征,用紫外可见分光光度计（UV-vis）和电化学工作站等对样品的性能进行了测试,研究了阳极氧化条件对样品形貌、结构、化学组分和性能的影响,并对相关机理和原因进行了探讨。1.采用阳极氧化法在混合磷酸盐电解液中制备叶片状磷酸铜薄膜,研究了阳极氧化时间、电压、电解液组成对磷酸铜薄膜形貌的影响,优化了制备条件,并对其催化氧化性能进行了研究。叶片状Cu₃（PO₄）₂·3H₂O薄膜对氧化降解甲基橙、罗丹明B、茜素红、中性红四种染料具有优异的催化性能,温度对催化氧化性能有很大影响,随着温度的升高（25°C、50°C、75°C）,降解速度迅速提高。此外,还对催化降解反应的动力学和样品的循环使用性能进行了研究。2.采用阳极氧化法在氨水电解液中制备n-Cu₂O薄膜,研究了氨水浓度、电压、反应时间对薄膜形貌、结构、化学组成及光电化学性能的影响,并对影响的原因和机理进行了讨论。结果表明,在氨水浓度为0.5 wt%、1.0 wt%、1.5 wt%,电压为10 V、20 V的条件下,可以制得n-Cu₂O薄膜;当氨水浓度为1.0 wt%、电压为10 V和20 V时,所制备薄膜分别为均匀致密膜和片状多孔膜;反应时间对样品的光电流有影响,过长的反应时间会造成样品的光电流转变为还原光电流（p型半导体）。在优化条件下,n-Cu₂O薄膜的最大氧化光电流可达-143μA/cm²。3.采用阳极氧化法在1.0 wt%氨水电解液、0.05 mol/L草酸水溶液、0.1 mol/L NH₄Cl+0.15 wt%冰醋酸电解液中分别制备片状Cu₂O/CuO复合薄膜、梭形草酸铜薄膜和中空立方体氯化亚铜薄膜,研究了阳极氧化条件对薄膜形貌的影响,对薄膜的结构进行了表征,对薄膜的形成机理进行了探讨。