本论文针对多晶硅薄膜晶体管(Thin Film Transistors, TFTs)提出了一个适用的阈值电压模型和一种新的源、漏寄生电阻提取方法。首先,本文成功地推导出了多晶硅TFT的阈值电压模型的解析表达式。该阈值电压模型是在多晶硅TFT开态电流模型的基础上,利用二次微分法推导得到的。在这个阈值电压模型中,不仅考虑了沟道晶粒反型,还考虑了晶粒间界势垒调制效应和迁移率退化效应的影响,物理定义完整而且明确。并且研究发现,相比沟道晶粒反型电压,晶粒间界势垒调制效应才是多晶硅TFT阈值电压的主导因素。此外,该模型还定量地描述了多晶硅TFT中的“伪亚阈值区域”现象。利用该模型计算得到的阈值电压值可以与实验提取值很好地拟合。其次,本文还提出了一种新的提取多晶硅TFT源、漏寄生电阻的方法。这个方法同样是在多晶硅TFT的开态电流模型基础上推导得到的。该提取方法不受器件沟道长度及迁移率变化的影响,且利用该方法可以得到合理的寄生电阻值。