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Cu3N薄膜由于具有高电阻率,低热分解温度,在红外和可见光波段与Cu单质的反射率有明显的差别,使其在光学存储,高速集成电路以及太阳能电池领域有广泛的应用.由于Cu原子没有占据其(111)面的紧密堆积区域,如果其他原子填充到其体心位置处,将引起其电学和光学性能的显著变化.首先,利用直流反应磁控溅射方法,在Si(100)和ITO玻璃基底上制备了Cu3N薄膜,通过控制实验参数得到了最佳的Cu3N薄膜样品.通过X射线衍射(XRD)分析可知,Cu3N薄膜的择优取向为(111)方向;随着氮气含量的升高,