电子器件的内部噪声(特别是以1／f噪声为代表的低频噪声)，是制约器件灵敏度和检测精度的一个关键指标，同时也是表征器件质量和可靠性的一个重要敏感参数。因此，噪声作为电子器件可靠性的表征方法和电路模块的诊断检测工具在国际上已得到相当广泛的研究和应用。迄今为止，基于功率谱的频域分析方法是一种传统的方法，但是为了能在可选择尺度受到限制的情况下进行信号分析，需要使用单尺度子波分析方法。本文给出了单尺度子波方法的原理和算法，根据优化的算法予以软件实现，能够用于噪声的频域分析，并用它在不同尺度上对单个和叠加的RTS信号进行了分析，证明当用单尺度方法进行的局部奇异性分析能提取出在特定频率上的信号奇异性信息，通过将之应用于实测辐照前后MOSFET的1／f噪声信号分析，结果表明该方法能通过检测指定尺度上奇异点个数的变化来反映器件内部陷阱数量的变换情况。