SOILDMOS（绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体）器件是应用最为广泛的功率器件之一，是功率集成电路设计的核心部分。因为SOILDMOS器件在功率集成电路中常用作输出驱动，所以极易遭受ESD（静电放电）的危害。在功率集成电路和功率器件的可靠性研究方面，静电放电问题成为重要的研究课题。因此，SOILDMOS器件在ESD应力下的响应特性分析和模型的研究对于提高功率集成电路和功率器件的可靠性具有十分重要的意义。　　 本文基于SentaurusTCAD仿真平台和TLP测试系统，首先研究了SOILDMOS器件在ESD应力下的响应特性。按照SOILDMOS器件在ESD应力下响应行为的时间顺序，分为四个阶段:正向阻断阶段、snapback（回滞）阶段、维持阶段和二次击穿阶段。在正向阻断阶段研究了阻断机制和触发机制;在snapback阶段研究了SOILDMOS器件的嵌位速度和寄生LNPN管的开启特性，同时提出一种电容充电模型对电压过冲行为进行了研究;在维持阶段研究了ESD应力下的热学特性和大电流状态下的电导调制效应;在二次击穿阶段研究了SOILDMOS器件的失效机理。除此之外，本文对SOILDMOS器件在ESD应力下的热载流子效应进行了研究。最后研究了具有不同Vgs（栅源电压）的SOILDMOS器件在ESD应力下的响应模型。　　 研究结果表明:SOILDMOS器件对于ESD应力具有极高的敏感性，极易受到ESD应力的损伤，大电流状态下的电导调制带来的Kirk效应（基区宽度展宽效应）使得损伤区域发生在漏极，由于ESD应力带来的热载流子效应会造成SOILDMOS器件的触发电压下降;除此之外，Vgs能够影响SOILDMOS器件的触发电流。通过对参数Rpwell、BVDB、k以及Ihold等的提取，对SOILDMOS在ESD应力下的响应模型进行了验证，验证结果表明利用此模型计算的数据能够与实测数据达到较高的拟合度，误差在14.6％左右。