近年来,由于金属Ni纳米线阵列具有高度的磁各向异性,比二维纳米薄膜材料具有更优越的磁性能,使得Ni及其他功能纳米有序阵列体系在光电子学、功能器件、信息储存等众多领域有着广泛的应用前景而备受关注。因此进一步深入的研究金属Ni纳米线,尤其是研究形貌均一、高度有序,尺寸可控的金属Ni纳米线的制备具有重要的意义。同时,由于阳极氧化铝模板(AAO模板)的显著优点,因而模板合成法成为制备一维纳米材料最有效的方法。采用电化学的方法在模板孔内组装纳米线充分利用了模板孔径均匀,高度有序等模板孔的限域作用。本文进一步研究了模板的制备工艺及采用交流电沉积的方法制备金属纳米线的制备工艺。1、研究恒压、恒流条件下,模板的制备工艺。氧化电压、氧化电流、氧化时间、扩孔方式等因素影响了模板的形貌及性能。2、不同的氧化电压,阻隔层的厚度也不同。但是,阻隔层的厚度很难观察到,本实验通过电化学测试的方法表征阻隔层的厚度,电阻的大小即反应了阻隔层的厚度。因此可以定量的选择特定的氧化电压来制备模板,使得阻隔层的厚度最小,有利于纳米线的生长。同时,在相同的电压条件下,采用不同的扩孔方法及阶梯降低电压的方法可以有效的减薄阻隔层,利于交流电沉积顺利的进行。3、系统的研究了模板的制备工艺对沉积纳米线的影响,制备模板的氧化电压,氧化时间,扩孔方式等模板的制备工艺对纳米线的影响。4、研究电源滤波、沉积频率等因素对纳米线的影响：阻隔层有一定的滤波效果,可以保证沉积的金属比电解的多,但是前人的研究表明,制备的纳米线多呈颗粒状聚集或者是结构松散,出现黑白相间的条纹。本实验中接入二极管滤去正向的电源信号,只利用负向的电源信号让金属阳离子沉积,减少电解过程,制备了结构紧密表面光滑的纳米线。交流电沉积的频率对电沉积纳米线产生很大的影响,本文研究频率对电沉积的影响原理,解释要选择合适的频率才能制备理想的纳米线。