有机电致发光是指将电能转化为光能的过程,在外电场的作用下,发光材料受到电场的激发作用而发光。有机电致发光器件（OLEDs）作为平板显示器的成员之一,具有亮度高、驱动电压低、响应快、重量轻、制作工艺简单和可实现全色显示等诸多优点。目前,随着研究的不断深入,发现其存在工作寿命短、性能不稳定等问题。这就需要研究人员从材料的设计和选择、器件结构的优化和性能测试的改进等方面加大研究力度,从而实现有机电致发光器件的实用化和产业化。本文首先介绍了利用蓝色荧光材料N-BDAVBi、DPVBi和ADN分别作为发光层的单层蓝色有机电致发光器件。结构分别为器件一:为ITO/2T-NATA（30 nm）/ NPB（20nm）/N-BDAVBi （3+dnm）/Alq₃（60nm）/LiF（0.6 nm）/Al;器件二:ITO/2T-NATA（30 nm）/ NPB（20nm）/ DPVBi （10+dnm）/Alq₃（60nm）/LiF（0.6nm）/Al;器件三:ITO/2T-NATA（30 nm）/ NPB（20nm）/ ADN（3+dnm）/Alq₃（60nm）/LiF（0.6 nm）/Al。当器件一中N-BDAVBi的厚度是7nm,电压为13V时,最大亮度达到12690cd/m²;在相同厚度下,电压为6V时,器件的最大效率为1.43cd/A。器件二的DPVBi厚度为20nm,电压为11V时,最大亮度达到12490cd/m²;在同一厚度下,电压为6V时,器件的最大效率为3.23cd/A。器件三的ADN为11nm,电压为13V时,最大亮度达到9708cd/m²; ADN厚度为15nm,电压为7V时,器件的最大效率为2.01cd/A。在其基础上又利用蓝色荧光材料制作了双发光层蓝色有机致电发光器件。结构分别为器件四:ITO/2T-NATA（40nm）/ NPB（10nm）/N-BDAVBi （5+dnm）/DPVBi（10nm）/Alq₃（30nm）/LiF（0.5nm）/AL;结构五:ITO/2T-NATA（40nm）/ NPB（10nm）/N-BDAVBi（5+dnm） /ADN（10nm）/Alq₃（30nm）/LiF（0.5nm）/AL。当器件四中N-BDAVBi厚度15nm,DPVBi厚度为10nm,电压13V时,最大亮度是11330cd/m²;当N-BDAVBi厚度为10nm,DPVBi厚度为10nm,电压为5V时,器件的最大效率为3.61cd/A。在3V-13V范围内器件四的色坐标处在x=0.19,y=0.20附近的蓝光范围内。当器件五的N-BDAVBi厚度为15nm,ADN发光层厚度为10nm,电压13V时,最大亮度达到10220cd/m²;当N-BDAVBi厚度为5nm,ADN发光层厚度为10nm,电压为6V时,器件的最大效率为2.97cd/A。在3V-13V范围内,器件五的色坐标处在x=0.20,y=0.20附近的蓝光范围内。另外,我们将N-BDAVBi分别结合DPVBi或ADN的量子阱结构制备蓝色有机电致发光器件。器件六结构为: ITO/2T-NATA（40nm）/ NPB（10nm）/N-BDAVBi（3+dnm）/DPVBi（7nm）/N-BDAVBi（3+dnm）/DPVBi（7nm）/Alq₃（30nm）/LiF（0.5nm）/Al;器件七结构是ITO/2T-NATA（40nm）/ NPB（10nm）/N-BDAVBi（3+dnm）/ADN（7nm）/N-BDAVBi（3+dnm）/ADN（7nm）/Alq₃（30nm）/LiF（0.5nm）/Al。当器件六的N-BDAVBi厚度为15nm,电压为13V时,最大亮度达到13660cd/m²;当N-BDAVBi发光层厚度为15nm,电压为7V时,器件的最大效率为3.72cd/A。在3V-13V范围内器件六的色坐标处在x=0.19,y=0.20附近的蓝光范围内。当器件七的N-BDAVBi厚度为15nm,电压为13V时,最大亮度达到13200cd/m²;当N-BDAVBi厚度为7nm,电压为6V时,器件的最大效率为4.38cd/A。色坐标处在x=0.20,y=0.20附近的蓝光范围内。