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随着微波通信的发展对器件的要求越来越高,除了要求高介电常数、高品质因素、和接近与零的谐振频率温度系数外要求器件的小型化,高可靠性,寻求可制成MLCC的材料己成为高技术微波陶瓷领域的重要研究方向之一.本论文即是以在Ba-Ti系中具有最低介电损耗的BaTi<,4>O<,9>微波介质陶瓷为研究对象,运用了XRD、SEM等分析测试手段和HP4192A网络分析仪测试介电性能,对BaTi<,4>O<,9>微波介质陶瓷的预烧、制备,对BaTi<,4>O<,9>各种添加的微波介电性能与显微结构、物相的关系,Mn、Zr掺杂和各种低熔点氧化物单独和复合添加对BaTi<,4>O<,9>系微波介质陶瓷的低温烧结效果和介电性能的影响进行了研究.本实验的主要研究结果如下:1)Mn为可变价离子可以在缺陷平衡中作为补偿剂的作用,有助于维护Ti<4+>,从而一定量的Mn掺杂可以降低BaTi<,4>O<,9>系微波介质陶瓷的损耗值.2)CuO、Bi<,2>O<,3>和V<,2>O<,5>单独和复合添加都可以起到液相烧结的作用从而降低烧结温度,其中V<,2>O<,5>单独添加的作用类似与Mn的添加,Bi<,2>O<,3>单独添加可导致介电性能的恶化,从XRD分析可见第二相.相信是第二相BaBi<,4>Ti<,4>O<,15>对其微波介电性能的影响,CuO的单独添加会产生的氧空位而引起介电损耗急剧增大.3)Bi<,2>O<,3>和V<,2>O<,5>复合添加可以抑制第二相的生成而优化介电性能,在添加量为x=0.5wt％,y=0.5wt％其致密烧结温度为1180℃,介电特性为:ε=42.2;tan δ=7;τ=112.CuO和V<,2>O<,5>复合添加时V<,2>O<,5>可以平衡单独添加CuO而产生的缺陷.4)CuO、Bi<,2>O<,3>和V<,2>O<,5>复合添加对低温烧结效果明显优于单独添加.并且介电性能较好.