半导体微纳材料被广泛的应用于有机污染物的降解、易燃易爆和有毒气体的监测。SnO₂作为一种重要的n型宽禁带的半导体材料,因其具有独特的光化学性质被广泛的应用在气敏传感器和光催化等领域。半导体光催化技术与气体敏感响应具有共同之处,它们均属于表面反应,均表现为吸附脱附反应进程。本文以SnO₂为研究对象,并探索通过掺杂改性、复合等策略,来进一步改善其气敏性能和光催化性能,主要研究成果如下:1.通过简单的水热法生长SnO₂纳米球和Zn-doped SnO₂纳米片结构,并探究其最佳生长条件。我们通过Zn掺杂使得SnO₂纳米球变成了超薄的纳米片结构,这种Zn-doped SnO₂纳米片对乙二醇表现出较高的选择性和灵敏度,对100ppm的乙二醇响应达到90,远高于纯相SnO₂的灵敏度。Zn-doped SnO₂对甲基橙有良好的光催化降解性能,远高于纯相SnO₂的降解效率。2.通过简单的水热法直接在碳布上生长SnO₂/Fe₂O₃纳米复合材料,并进行了光催化性能的测试。测试结果发现,与纯相SnO₂和Fe₂O₃相比,SnO₂/Fe₂O₃复合材料对亚甲基蓝的光催化性能有了一定的提高,而且它具有良好的光催化循环特性。我们进而提出了SnO₂/Fe₂O₃纳米复合材料的改善光催化性能的机理。3.通过简单的水热法合成了Zn₂SnO₄微米材料,并探索Zn₂SnO₄的最佳生长条件。测试结果发现八面体结构的Zn₂SnO₄（24 h）对三乙胺表现出较高的灵敏度和选择性,对100 ppm三乙胺灵敏度达到38,远高于立方块结构的Zn₂SnO₄（16 h）。另外,Zn₂SnO₄（24 h）催化剂降解速度最快,照射时间60 min时降解率达到了90%左右,而此时Zn₂SnO₄（16 h）和Zn₂SnO₄（36 h）的降解效率仅达到40%和50%。空心立方块结构的Zn₂SnO₄对三种有机染料（MB,MO,RhB）均有良好的降解性能,其中对MB的降解性能最好,在紫外光照射20min时就降解达到了95%,对RhB和MO的降解仅为70%和80%,而其前驱物ZnSn（OH）6对MB的降解仅20%。