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直接带隙宽禁带(3.37eV)半导体ZnO材料具有高达60meV的激子束缚能,容易实现室温乃至更高温度下的高效激子发光,使其成为制备紫外光发射器件的理想候选材料。而相比于ZnO体材料,ZnO量子点(quantum dots,简称QDs)由于量子尺寸效应,致使其带隙展宽,发光蓝移,有望制得更加深紫外发射的ZnO量子点光发射器件。近年来,通过金属局域表面等离子体增强光发射器件发光效率方面的研究已逐渐受到大家的重视,而Ag纳米粒子局域表面等离子体由于其共振消光峰与ZnO材料的近带边激子发射峰存在一定重叠,因此较为适合应用于增强ZnO基紫外光发射器件的发光效率。本论文首先将溶胶凝胶法制得的ZnO量子点胶体溶液与AgNO3的乙醇溶液充分混合,一步制得ZnO量子点与Ag纳米粒子复合体系(ZD-Ag NPs),并将此复合体系应用于优化后的ZnO量子点紫外光发射器件中,提升了器件的ZnO近带边紫外光发射效率。具体实验内容如下:(1)通过溶胶凝胶法制得乙醇相中均匀分散的ZnO量子点胶体溶液,并对其相关物理特性进行了表征分析;随后将一定量的AgNO3乙醇溶液与之充分混合,在不需要其它任何外界条件参与的情况下,即可一步制得ZnO量子点与Ag纳米粒子复合体系,并可通过控制体系的反应时间从而调节Ag纳米粒子的消光峰位。(2)设计构建了p-GaN/ZnO QDs(30nm)/Al2O3/ZnO QDs(120nm)结构的ZnO量子点紫外光发射器件,并与p-GaN/ZnO QDs(150nm)结构的传统PN结型光发射器件进行对比研究。结果表明:我们所设计的ZnO量子点紫外光发射器件拥有更高的光发射效率和相对更强的ZnO近带边紫外光发射强度,总体发光峰位蓝移。(3)将制得的ZD-Ag NPs应用于上述ZnO量子点紫外光发射器件中,替代其中的ZnO QDs(120nm)层,既作为电子注入层又巧妙地引入了Ag纳米粒子,构建成Ag纳米粒子修饰的ZnO量子点紫外光发射器件,并最终成功提升了器件的紫外光发射效率。随后,通过对比分析ZD-Ag NPs与纯ZnO量子点样品的荧光寿命和变温光致发光谱等,验证了其发光增强来源于Ag纳米粒子局域表面等离子体与ZnO近带边激子和光子的共振耦合作用。