人类社会的发展离不开新材料的发现与应用,自步入信息时代以来,人们对数据存储量与处理速度的需求日益增长,在此驱动下,当今信息产业得到长足的发展。信息技术的普及正在产生海量的数据,传统的信息存储技术已经难以应对如此庞大的数据,因此,下一代存储技术必须在速度、容量、保持能力等方面得到相当的改进,这需要研究人员继续寻找新的材料并开发出新的存储器件。近年来,以石墨烯为代表二维材料受到研究人员的广泛关注,被认为有望取代传统硅基材料用作新型高性能、高集成度、柔性化、智能化的微电子器件的沟道材料。本论文系统研究了新型二维功能材料的新奇物理性能,并以此设计构筑出新型的电子信息器件,主要结论如下:利用自助溶剂方法成功生长出高质量的GaTe单晶。通过微纳加工技术制备GaTe场效应晶体管,研究了其在室温下的电学及光电性能。为解决GaTe在空气中不稳定的问题,在手套箱中通过范德华堆垛技术使用六方氮化硼(h-BN)对GaTe进行封装,制备出BN/GaTe/BN场效应器件。器件在大气环境下表现出良好的稳定性和优异的电学性能。构筑了具有多方向电极对的BN/GaTe/BN器件并研究了其电输运性质,GaTe表现出明显的面内电学各向异性,且各向异性强度受门电压的调控。对少层六方氮化硼封装的BN/GaTe/BN器件测试发现,受门电压调控,器件的面内电学各向异性强度可由～3增至103量级。>利用多层石墨烯作浮栅,制备出了基于GaTe的浮栅存储器,存储器表现出大的电压窗口、大的开关比、灵敏的操作电压响应以及稳定的数据存储能力。该存储器在不同方向上的存储能力不同,表现出方向相关的多值存储能力。利用化学气相输运方法成功制备出高质量的CuInP2S6以及α-In2Se3单晶,利用PFM表征了二者在薄层时的铁电性能。表征了 CuInP2S6以及α-In2Se3场效应器件的电学性能。利用范德华堆垛技术制备了 MoS2/CuInP2S6/Graphite异质结,探究了其用于新型二维铁电阻变存储器的潜在能力。