【摘 要】
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微晶硅薄膜电池兼具有晶体硅电池和薄膜电池的优点，被视为硅基薄膜太阳电池的下一代技术。在pin型微晶硅(μc-Si)薄膜太阳电池中，p层作为电池的窗口层，对电池性能有着重要影响。p型氢化微晶硅(μc-Si∶H)薄膜要求具有高的晶化率、高的电导率和宽的光学带隙，因此，对p型μc-Si∶H薄膜微结构和光电性能的研究对提高电池的效率有很重要的意义。本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技
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微晶硅薄膜电池兼具有晶体硅电池和薄膜电池的优点，被视为硅基薄膜太阳电池的下一代技术。在pin型微晶硅(μc-Si)薄膜太阳电池中，p层作为电池的窗口层，对电池性能有着重要影响。p型氢化微晶硅(μc-Si∶H)薄膜要求具有高的晶化率、高的电导率和宽的光学带隙，因此，对p型μc-Si∶H薄膜微结构和光电性能的研究对提高电池的效率有很重要的意义。本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术，以高氢稀释硅烷和硼烷为反应气体，在玻璃衬底上制备p型μc-Si∶H薄膜。系统
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