本论文的具体工作是结合韩国PT-PLUS 公司的LDD 型P-Si TFT 的制备工艺,根据相关的设计规则、工艺文件及0LED 的工作条件,完成了64×3×80 显示发光区与驱动电路集成一体化的P-Si TFT 阵列的模拟、计算、和布图设计,显示区的面积是2.1 英寸,外接引线仅有36条,如果同样的a-Si TFT 阵列就需要275 条之多。这在大尺寸显示屏中是极具优越性的。设计过程中我们采用每个单元像素含有2 个TFT 的源跟随型电路,分析、计算了单元像素中丌关管和驱动管的宽长比,存储电容的数值和面积。完成了Poly-Si TFT AM OLED 的所有基本单元分析、计算并进行仿真,验证,最终完成了布图设计,并对版图进行了DRC,LVS 及ERC校验。由于软件条件的限制,只将版图进行了包含寄生参数的网表提取,没有进行整体电路的后仿真,同时对于布线可能引起的时钟分配问题,电压降问题,热效应问题也由于条件的限制没有完成。最后的显示屏能够发光,表明我们的设计是正确可行的。但是由于大面积多晶硅均匀性解决得不好,导致显示区发光不均匀,甚至有些像素出现坏点。