【摘 要】
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卤化物钙钛矿材料具有光吸收系数高、载流子寿命长、均衡的电子空穴迁移率和高发光量子效率等优异的光电性能,在光电子应用方面展现出巨大的潜力。然而,卤化物钙钛矿的光学带隙相对较大使其在近红外光区的发光可调节范围很窄,这限制了该类材料在光通讯等领域的应用。此外,铅基的卤化物钙钛矿中铅的毒性对人类健康和生态环境造成很大威胁,已成为当前该领域内亟待解决的问题。在此背景下,本论文通过向钙钛矿中引入其他金属元素形
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卤化物钙钛矿材料具有光吸收系数高、载流子寿命长、均衡的电子空穴迁移率和高发光量子效率等优异的光电性能,在光电子应用方面展现出巨大的潜力。然而,卤化物钙钛矿的光学带隙相对较大使其在近红外光区的发光可调节范围很窄,这限制了该类材料在光通讯等领域的应用。此外,铅基的卤化物钙钛矿中铅的毒性对人类健康和生态环境造成很大威胁,已成为当前该领域内亟待解决的问题。在此背景下,本论文通过向钙钛矿中引入其他金属元素形成金属掺杂或合金卤化物钙钛矿材料的方法对基体进行改性,从而拓宽材料的应用范围并改善了相应光电子器件的性能
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