由于对电子元件的小型化、高性能和低成本的需求,嵌入式无源元件的研究受到了广泛的关注。复合介电材料结合了无机材料和有机材料的优点,具有高介电常数、低损耗和易加工特性,成为嵌入式电容器制备的替代材料之一。本课题以Ag@TiO₂核壳结构为无机填料和聚偏氟乙烯（PVDF）为基体制备复合材料,通过XRD、扫描电镜、红外光谱、热重分析和阻抗分析等,研究影响Ag@TiO₂/PVDF介电性能的因素,探讨提高其介电性能的途径。首先,研究了壳层TiO₂的晶型对Ag@TiO₂/PVDF介电性能的影响。溶胶凝胶法制备的Ag@TiO₂壳层为无定型TiO₂,在一定温度下烧结能将TiO₂的晶型转化为锐钛矿型和金红石型。将三种核壳填料分别与PVDF复合,其中壳层为金红石型TiO₂的复合材料具有最高的介电常数。同时对三组样品的阻抗和电模量进行分析,得出高介电常数主要源于两点:一是壳层为金红石型TiO₂的复合材料中的界面极化最强,二是金红石型TiO₂本身的介电常数较高。然后,在壳层晶型为金红石型TiO₂的基础上,研究膦酸类偶联剂的碳链长度对Ag@Rutile TiO₂的改性效果。实验采用的两种链长不同的偶联剂分别为正辛基膦酸（OPA）和十八烷基膦酸（ODPA）。扫描电镜图片显示OPA改性后的复合材料中核壳填料的分散性更好。同时,分别对两种复合材料的介电性能、阻抗圆图和电模量进行了分析,得出的结论是碳链较短的偶联剂对Ag@Rutile TiO₂的改性效果较好。最后,研究纳米尺寸Ag（20nm）对Ag@TiO₂/PVDF的改性效果。实验发现,纳米Ag改性能够在提高Ag@TiO₂/PVDF介电常数的同时抑制其损耗。研究得出对Ag@TiO₂/PVDF改性时纳米Ag的最佳用量为3vol.%,此时样品的损耗大大降低,高频段的介电常数增加,介电性能的频率稳定性得到提高,但低频段的介电常数有所下降。