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自2004年石墨烯被发现后，其以独特、优良的电子性质以及在纳电子器件方面的应用前景，引起了人们的极大关注。而石墨烯基微纳器件的设计、加工和利用都须将石墨烯转置于合适的衬底上。衬底对于石墨烯的形貌结构、电子特性、输运性质将产生一系列的影响。近期的研究表明，在晶体硅（Si）等半导体衬底材料上直接生长石墨烯并制作成量子器件将为石墨烯的应用提供一条很好的途径。因此，从理论上研究各种半导体基底材料，特别是Si、SiO2等基底的晶体结构对石墨烯生长及其形貌的影响，对于理解和掌握衬底上石墨烯形貌调控的方法，进一步