CdTe/CdS太阳能电池中CdS薄膜的制备与性能研究

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CdTe/CdS太阳能电池作为一种新型的薄膜电池受到了各个国家研究者们的关注。CdTe材料是Ⅱ-Ⅵ半导体化合物,它是直接带隙材料,禁带宽度为1.45eV,其能隙宽度与太阳光谱有很好的匹配,CdS材料则作为极好的窗口层,其禁带宽度为2.42eV,能够与CdTe形成良好的异质结,从而构成异质结太阳能电池。因此,CdS薄膜的质量直接影响到在其表面生长的CdTe的质量,并对最终电池的性能有着极大的影响。本文主要研究了化学水浴沉积法、高真空薄膜蒸发法以及溶胶凝胶法制备CdS的基本原理与实验方法,通过实
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