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三氧化钨(WO3)是一种具有广泛应用前景的功能材料,在电致变色、气体传感和化学催化等方面已得到较为系统的研究。近几年来,人们又发现WO3陶瓷呈现出良好的以低电压小电流为特征的非线性电学行为,有望在微电子领域得到应用。然而,由于WO3陶瓷自身结构性质的复杂性,使得目前在对WO3陶瓷电学性质的认识上还没有形成一个清晰而全面的物理图象。作为压敏电阻材料,WO3陶瓷电学性质普遍存在不稳定性：正负方向的伏安曲线不对称；多次测量的伏安特性曲线的重复性不好；存在严重的电学迟豫现象。已有研究表明,WO3电学行为的不稳定性与相共存导致的极化有关。本文以多晶三氧化钨陶瓷为研究对象,以三氧化钨的相变及晶粒表面状态变化对其电学性能的影响为主要研究内容,进一步深入研究了WO3陶瓷材料的电行为。主要内容和结果有：1.对WO3陶瓷样品进行变温测量,来研究温度对其电学性能的影响,发现30-770℃温区内,WO3陶瓷的电学行为经历了三次大的变化,表现为在4个不同温度区间内样品电学性能有较大差异。2.通过对WO3样品进行淬火处理,来研究WO3陶瓷的成瓷性过程和电学性能的变化,发现WO3样品在900℃开始致密化,并在1100℃保温过程中迅速致密化,并发现WO3陶瓷的非线性与其相变并无直接关系,电学性能的变化与其晶粒表面对气体的吸附情况有密切关系。3.为了研究三氧化钨陶瓷非线性的物理起源,探讨了不同气氛下的热处理对三氧化钨的影响,实验表明非线性系数值和热处理的气氛有关。900℃时在氩气和氧气中的热处理结果证明了这些。在氩气中热处理过的样品的非线性系数值显著变小,随后在氧气气氛中热处理后其电学特征可以恢复。结果表明WO3陶瓷非线性的物理起源是由于其本征缺陷引起的晶粒表面的氧吸附。4.研究了CuO掺杂对WO3压敏电阻微结构和电学行为的影响,结果表明,微量的CuO掺杂能够促进WO3陶瓷的致密化和晶粒生长。根据I-V特性测量结果,0.2mol%CuO掺杂的WO3陶瓷具有线性伏安特性和极小的电阻率。CuO含量的继续增加使样品的非线性电学行为和电阻率又获得恢复,这是因为偏析于晶界处的CuO与两侧的晶粒形成了n-p-n型的双肖特基势垒。