近年来随着微电子技术的进步，通信技术飞速发展，射频技术在各个领域得到广泛应用。作为射频技术的基础，高性能的射频集成电路成为研究的热点。传统的射频集成电路主要采用GaAs工艺或者硅双极技术，成本高、功耗大。而射频CMOS集成电路，由于成本低、功耗小，日益引起人们的重视。本文首先分析了硅基射频器件的射频模型，选择适合用于设计的射频集成电路的模型。从低噪声放大器的设计原理出发，从噪声匹配、线性度、阻抗匹配等方面详细讨论了低噪声放大器的设计。电路采用TSMC 0.18μm CMOS工艺进行设计，利用ADS2005A对电路进行模拟。主要设计了单端和差分结构两种低噪声放大器，具有低噪声，低功耗、高增益、线性度好的特征。仿真结果表明，它的噪声系数为1.6-2.1dB，正向增益为13-18dB，三阶交调点IIP3为大于-2dBm，阻抗匹配良好，回波损耗小于-15dB。此外，还进行射频集成电路中常用的混频器进行了设计，以吉尔伯特混频器为基础，设计了一个双平衡的混频器，采用小电阻改善输入阻抗。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺，仿真结果表明，混频器阻抗匹配良好，双边带噪声NFdsb为5.698dB，单边带噪声NFssb为9.287dB，可见噪声性能良好，中频转换增益为9.05dB，输出三阶交调点为OIP3为23.19dBm，混频器具有较好的线性度，达到较好的结果。