紫外探测器在紫外天文学、地球空间环境探测、环境监测和火灾预警、现代通信和生物医学研究中等得到了广泛的应用。一维纳米线半导体由于体表比高,载流子传输效率高等特点在光电器件的应用中具有很大的优势。采用低温水热法在FTO衬底上制备的TiO₂纳米线具有垂直生长、分布均匀的特点,有利于载流子在垂直方向上的传输,但单一TiO₂纳米线基器件具有暗电流较大,光暗抑制比较低,及在空气中放置易由于水蒸气的吸附导致器件性能下降的问题,本论文针对这些问题进行了研究,并改进了器件的性能。本文首先通过低温水热法在FTO上生长了TiO₂纳米线,得到FTO/TiO₂异质结,又分别在FTO和TiO₂上制备Ag电极从而形成紫外探测器件,最后对其性能进行了测试,并将测试结果与材料的能带结构结合起来进行了分析:由于FTO和TiO₂之间形成肖特基结,器件在反偏压下的暗电流具有不饱和特性,光电流有待提升。接下来,本文以FTO/TiO₂为基础,在TiO₂纳米线上又制备了MoO₃纳米层,并分别在FTO和MoO₃上制备了Ag电极,从而得到了FTO/TiO₂/MoO₃基紫外探测器,并对器件的性能进行了测试,结果显示器件的暗电流得到了有效抑制,且在2.2 V反偏压下暗电流达到最低值,不同于修饰前器件暗电流的不饱和特性。此外,器件的光电流有所提升,器件的响应度也随之提升。通过将测试结果与材料的能带结构的结合分析,本文中采用的FTO/TiO₂/MoO₃异质结构在一定的反偏压下形成的电子势阱,有效抑制了器件的暗电流,而器件的光电流由于MoO₃的修饰引起材料对紫外光更有效的吸收及利用而得到提高。论文的第三部分采用PMMA修饰FTO/TiO₂,并制作Ag电极,最后形成了PMMA修饰FTO/TiO₂基紫外探测器,并对性能进行测试。由于PMMA的修饰阻隔了空气中水分子对TiO₂纳米线的吸附,器件的暗电流得到有效降低,此外,由于阻隔水分子吸附使得紫外光照下器件中的光生载流子未被消耗,器件的光电流也得到一定提升。最后对本论文进行了总结。本文为一维半导体材料基光电器件的暗电流抑制、器件的性能优化方面提供了新的思路。