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ZnO是一种纤锌矿结构的直接宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度3.37eV,激子束缚能高达60meV,具有优异的光电性能,所以在太阳能电池、声表面波器件、气敏传感器和光电器件方面有着广泛应用。实现高质量、特定取向的ZnO薄膜的异质外延生长是研究的热点,特别是非极性取向薄膜的可控生长是有待突破的瓶颈。目前研究表明,由于非极性ZnO具有极性ZnO所没有的一些特性,比如:它可以通过抑制或减弱由极性ZnO引起的自发极化和强压电效应,提高ZnO薄膜的发光效率,因而非极性ZnO同样值得科研工作者的关注。高质量的Z