【摘 要】
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在简单阐述了目前国内外离化团束技术的发展概况和离化团束沉积的物理机理后,该文详细介绍了研究人员的离化团束源及其沉积实验装置的研制和开发过程.离化团束源作为离化团束
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在简单阐述了目前国内外离化团束技术的发展概况和离化团束沉积的物理机理后,该文详细介绍了研究人员的离化团束源及其沉积实验装置的研制和开发过程.离化团束源作为离化团束沉积实验装置的核心部件是研究人员研制的重点,其中坩埚和喷嘴的结构设计、材料选择、加热方式和温度测量方式等又是重中之重.在离化团束沉积实验装置的核心部件是研究人员研制的重点,其中坩埚和喷嘴结构设计、材料选择、加热方式和温度测量方式等又是重中之重.在离化团束沉积实验装置调试过程中,研究人员测试了坩埚温度、该底电流、团粒大小等实验参数以及它们之间的关系.在完成离化团束沉积实验装置的初步高度后,研究人员在不同的基片上分另沉积了Cu和Al膜的AFM图象.结果显示,用离化团速沉积技术在硅片上获得的薄膜的表面粗糙度的均方根值约为10<0>-10<1>A量级,已经接近或达到原子级别.这是用其它常规沉积技术所不能达到的.
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