【摘 要】
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ZnO作为一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，具有大的激子束缚能(60meV)，高的机电耦合系数，以及恶劣条件下的高稳定性。不掺杂的ZnO从本质上来说是N型的半导体，可是通过掺杂获得P型的ZnO纳米结构是非常困难的。本论文针对P型ZnO纳米材料的研究热点和难点，利用简单的化学气相沉积方法制备出了高质量的磷掺杂一维ZnO纳米材料，并研究其生长机理和光致发光等特性。取得的
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ZnO作为一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，具有大的激子束缚能(60meV)，高的机电耦合系数，以及恶劣条件下的高稳定性。不掺杂的ZnO从本质上来说是N型的半导体，可是通过掺杂获得P型的ZnO纳米结构是非常困难的。本论文针对P型ZnO纳米材料的研究热点和难点，利用简单的化学气相沉积方法制备出了高质量的磷掺杂一维ZnO纳米材料，并研究其生长机理和光致发光等特性。取得的主要结果如下：(1)采用化学气相沉积方法，在未使用任何催化剂的条件下，在硅(111)衬底上制备出
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