【摘 要】
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论文主要对QAD亚单层有机发光器件以及硅基顶发射有机电致发光器件进行了研究。首先,采用沉积亚单层QAD作为探针层,通过改变探针层的位置制备不同的有机电发光器件,研究了有
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论文主要对QAD亚单层有机发光器件以及硅基顶发射有机电致发光器件进行了研究。首先,采用沉积亚单层QAD作为探针层,通过改变探针层的位置制备不同的有机电发光器件,研究了有机双层EL器件的激子形成和扩散过程,在本文的器件结构下,得出了距离异质结界面5nm的QAD单层能够获得数量更多的激子,实现高效率发光。由于QAD分子本身不具备直接俘获电子和空穴的能力,只能依靠能量转移来实现自身发光,为把激子限制在NPB/ Alq3界面的很小的区域内,以增强Alq3分子和QAD分子之间的能量转移,引入BCP空穴阻挡层,在优化的器件结构下,获得了发光几乎完全来自QAD的发光器件,并且器件的最大效率达到7.2cd/A。亚单层的方法较掺杂的方法在工艺上更容易实现,结合激子限制的方法为进一步提高器件发光效率和改善器件整体特性,并为合理设计器件结构提供了依据。选择单晶Si做衬底,用热氧化的SiO2做为绝缘层,采用Au作阳极,半透明的Li/Al/Ag做阴极,制备了Si基有机顶发射器件。为了降低金属电极和有机材料之间的偶极势垒,采用CuPc作为缓冲层修饰阳极,论述了缓冲层的厚度对顶发射器件的性能的影响。器件在19V条件下,最大亮度为15440 cd/m2,在13V条件下,最大发光效率为3.29 cd/A。CuPc是一种有机半导体染料,具有良好的化学和温度稳定性,并且很容易形成致密光滑的薄膜,它的引入不但可以提高有机顶发射器件的空穴注入效率,而且恰当的CuPc层的厚度下,能够降低空穴的迁移率,平衡参与激子形成的空穴的数量,进而提高器件的发光效率。我们的结果表明了CuPc
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