太阳能作为一种用之不竭的可再生能源受到越来越多的关注,但较高的成本是阻碍其大规模应用的主要原因,而提高电池的转化效率是减低成本的主要途径。硅中氧和碳等不可避免的杂质是影响晶体硅太阳电池效率的主要原因之一。因此,研究晶体硅中氧和碳杂质和缺陷性质对于光伏产业的发展具有重要的意义。本文研究了氧沉淀对晶体硅太阳电池性能的影响、晶体硅中空位-氧相关中子辐照缺陷以及含碳晶体硅中位于1207 cm-1处红外吸收峰的性质。最终取得了如下主要结果：(1)氧沉淀在硅中可以成为有效的复合中心,它可以导致光谱中长波长吸收下降以及电池漏电流的增加,最终导致开路电压、短路电流和效率的降低。(2)定量的计算出普通掺镓晶体硅(CZ)和镓锗共掺的晶体硅(GCZ)中中子辐照缺陷VO的消除激活能分别为1.89 eV和2.29 eV以及VO2的生成激活能分别为1.69 eV和1.52 eV；此外还计算出在220-250℃热处理后GCZ硅中生成的亚稳定态的O-V-O缺陷的生成激活能仅仅为0.48 eV。(3)发现在替位碳浓度高于1.7×1017 cm-3的晶体硅中均存在1207 cm-1的红外吸收峰,该峰热稳定性较好,并且其吸收强度随着替位碳浓度增加而线性增加,推断是一种与碳相关的缺陷的吸收峰。