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特种RFID标签天线设计
【机 构】
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宁波大学
【出 处】
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宁波大学
【发表日期】
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2020年期
【基金项目】
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其他文献
电力低碳化是未来电力系统的发展趋势,为此,我国大力发展清洁能源技术。其中,风电装机容量逐年攀升,但是限于其随机性和波动性,大规模并网在导致弃风现象频发的同时使电力系统净负荷峰谷差被进一步拉大。传统火电厂虽能通过调节出力配合风电波动,但其调节能力有限且碳排放较高,与当前电力低碳化目标相驳。而通过碳捕集技术可将传统火电厂改造为碳捕集电厂,碳捕集电厂在提供低碳电力的同时具备良好的调节性能,是风电理想的配
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由于我国能源结构的改变,可再生能源逐渐被重视,风电在电力系统中的利用率也越来越高。由于风能的不确定性和波动特性,当系统中大规模风电机组出力出现剧烈波动时,会给电力系统的稳定带来巨大的隐患。因此,提高风电预测功率输出的准确性,对于实现电力系统的安全稳定运行具有重要的现实意义。为了提高风电功率短期点预测的准确率,提出了一种计及风速分频特征和权值匹配的径向基(Radial Basis Function,
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我国从二十世纪八十年代开始，电力工业向大机组、远距离、超高压及交直流并用的方向发展。本世纪是电力工业飞速发展的时期，国内高压开关制造企业和科研工作者必须努力开展设备制造科研工作。高压自能式SF6断路器作为开发研制的主要产品，必须对其核心问题进行深入的研究。自能式SF6断路器是利用电弧阻塞效应即利用电弧本身的能量使压气室内SF6气体的压力升高，在电弧电流过零时产生有效的气吹而熄灭电弧。所以自能式断路
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半导体自旋电子学领域的研究可以将半导体与磁性材料的优势结合在一起。甚至可以在单个芯片上集成存储，检测，逻辑和通信等不同的功能。氮化镓(GaN)是具有高热稳定性的宽带隙半导体，通常被用于光电，高频和高功率微电子领域。GaN具有弱的自旋轨道相互作用，并且具有较长的自旋弛豫时间，这使得GaN成为一种非常适合半导体自旋电子学研究的材料。与无机自旋电子器件相比，有机自旋电子器件也非常吸引人，因为有机材料的电
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随着科技的不断发展，电源开关、智能手机、电动汽车、再生能源发电等新型科技产品对功率半导体器件提出了新的要求，随着全球能源问题的严重化，人们希望用各种方式来节约能源，这就对功率器件性能的要求越来越高，以致于传统的Si基功率器件已经无法满足人们的需求，以高性能著称的第三代半导体GaN和SiC进入人们的视野。相比于Si和SiC，GaN具有宽禁带(3.43eV)、高电子迁移率(1245cm2/V·s)、高
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目前，薄膜晶体管(TFT)已发展成一个巨大的产业，应用于显示器等领域，业界主流的TFT技术有低温多晶硅(LTPS)、非晶硅(a-Si)和氧化物TFT。随着新兴电子技术的出现，以可穿戴电子和柔性显示为代表，薄膜集成电路变得越来越重要，并且对薄膜材料性能提出了新的要求，比如成本低，可柔性，稳定性高等。a-Si的场效应迁移率低，而且在可见光或偏压下阈值电压会发生漂移。LTPS受限于多晶特性均一性相对较低
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近年来，以非晶铟镓锌氧(α-InGaZnO∶IGZO)为代表的氧化物半导体得到了不断发展与广泛应用。例如，基于IGZO沟道的薄膜晶体管(TFTs)已经开始部分替代传统非晶硅晶体管应用在平板显示器中。IGZO是一种性能优异的n型氧化物半导体，电子迁移率高，带隙较宽且在可见光范围透明，可以低温大面积均匀成膜，因此非常适用于透明柔性电子产品的制备。而随着可穿戴设备的迅速发展，寻找适用于这些电子产品的存储
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Si1-x—yGe1-xCy三元合金以其独特的性质引起人们的普遍重视。研究表明，替位式C的掺入可以补偿Si上Si1-xGex合金中的应变，而且还可以提高Si1-xGex合金的禁带宽度以及抑制异质结中的硼等杂质的扩散。本文采用化学气相淀积(CVD)方法在p—Si(100)衬底上生长了Ge组分渐变的Si1-x—yGexCy合金薄膜。首先通入SiH4淀积约110nm厚的Si缓冲层，然后仅通入GeH4和C
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物联网(Internet of Things, IoT)是继计算机、互联网与移动通信网之后的第三次信息产业浪潮，被世界主要国家视为抢占新一轮经济发展制高点的重大战略产业，也是我国新一代信息技术产业中最为重要的一支。物联网将深入车联网、智能电网、智能家居、安防监控、移动支付、智能穿戴、远程医疗、智能制造等应用领域，给人们的生活带来深刻改变。截至2018年底全球物联网设备已达220亿台，据预测到203
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