有机金属卤化物钙钛矿作为新兴的发光材料具有低成本、高效率的特点。然而在三维(Three-dimensional,3D)钙钛矿材料中,由于激子结合能较低,导致材料中电子和空穴的荧光复合几率较小。适当的引入长链的有机铵盐配体,能够限制3D钙钛矿的生长,从而形成具有L2An-1BnX3n+1结构的二维(Two-dimensional,2D)钙钛矿,其中L是带有长链烷烃的有机铵盐,A通常是离子半径较大的一价阳离子(Cs+、甲胺离子(MA+)、甲脒离子(FA+)等),B通常是离子半径较小的过渡金属离子(Pb2+、Sn2+等),X通常是一价的阴离子(Cl-、Br-、I-),n代表层状结构的层数。2D钙钛矿的激子结合能和禁带宽度与其层数有着紧密的关系。在2D钙钛矿薄膜中,由于n值分布的不同,会形成量子阱结构。在发光过程中,由于量子阱的存在,激发态能量会从带隙宽的结构传输到带隙窄的结构并且复合发光,从而提高能量的利用率。然而,在2D钙钛矿薄膜中,有机-无机两个相容易出现相分离,难以形成高效率发光的量子阱结构,导致能力损失,从而降低2D钙钛矿的发光效率。因此,如何通过控制2D钙钛矿薄膜中的相分离现象,实现高效率的钙钛矿发光二极管(PeLED)具有重大意义。基于此,本论文的主要内容包括:1.通过在3D结构的CsPbBr3钙钛矿体系中引入苯乙基溴化铵(Phenethylamine bromid,PEABr)分子,形成了具有PEA2Csn-1PbnBr3n+1结构的2D钙钛矿。该方法有效的改善了 CsPbBr3钙钛矿较差的薄膜形貌,实现了致密、均一的钙钛矿薄膜。由于2D结构的形成,钙钛矿薄膜的激子结合能、薄膜的荧光效率显著提高。然而,由于PEABr分子之间具有较强的π-π共轭作用,PEABr分子自身比较容易结晶,导致薄膜中存在有机配体和无机钙钛矿之间的相分离,对于能量的传输和介电限域效应都是十分不利的。2.有机小分子的选择性添加,有效的增加了 PEABr分子之间的空间位阻,抑制了 PEABr分子自身结晶和钙钛矿薄膜中有机配体和无机钙钛矿之间的相分离,使得体系中有机、无机相分散的更加均匀,其介电限域效应也大幅度提高。增强的介电限域效应使得钙钛矿薄膜的荧光性能有了近三倍的提升(荧光量子产率～70%,PLQY)。3.得益于上述薄膜的无孔洞、超平整、高效的荧光效率等特征,基于此薄膜制备的PeLED器件实现了电流效率49.1 cd/A,外量子效率(External quantum effieicncy,EQE)15.5%。由于降低了钙钛矿薄膜中的非辐射复合的几率,其焦耳热现象得到了一定程度的控制,器件的发光寿命明显提高。