CMOS/SOI模拟电路的研究

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SOI技术是一种非常有潜力的新型硅技术,被称为21世纪的硅技术。本文对SOI技术,特别是CMOS/SOI技术,做了较详细的阐述。并利用CMOS/SOI技术的优点,研制高性能抗辐射CMOS/SOI逐次逼近式A/D转换器,设计出了A/D转换器中重要的单元电路——比较器。利用模拟软件SPICE3和SOI MOSFET器件模型BSIM3SOI对SOI器件和电路进行了模拟和分析。经过试投片,做出了具有基本设计功能的CMOS/SOI A/D转换器。通过测试可以看出CMOS/SOI A/D转换器的抗核加固性能明显优于体硅电路。CMOS/SOI A/D转换器的研制可打破国外对我国高性能抗辐射A/D,D/A的禁运,提高我国空间卫星抗辐射性能,具有较大社会效益和较好的经济效益。根据目前掌握的情况在国内处于领先地位。
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