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薄膜晶体管是有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)和薄膜晶体管液晶显示器(TFTLCD)的驱动电路的核心部件,氧化物TFT异军突起,它在载流子迁移率、均匀性、稳定性等方面都具有优势,是未来驱动OLED最有力竞争者之一。因此,开展新兴的氧化物TFT的研究工作具有重要意义。利用磁控射频溅射,使用纯度99.99%的锌靶和纯度为99.99%的氧气相互反应,在石英玻璃表面形成氧化锌薄膜。利用扫描电镜和XRD对不同衬底基片温度、不同沉积时间所制备的氧化锌薄膜进行了分析,确定了制备C轴取向性好、表面平整的薄膜工艺参数。利用OLED多功能镀膜系统制备了Ag/ZnO/Al二极管紫外探测器,金属铝电极和银电极由磁控直流溅射制备,氧化锌半导体层由磁控射频溅射制备。测试了该紫外探测器的暗电流、365nm波长光照射下的光电流及电容-电压特性曲线。分析其数据,电流-电压曲线得到的有效势垒高度为0.53e V,理想因子为12.6。电容-电压曲线得到肖特基势垒为0.6e V,不同理论得出肖特基势垒高度相差微小,在可接受范围内,计算得出肖特基势垒高度证实了Ag和Zn O半导体层形成了肖特基接触。该紫外探测器耗尽层的厚度为纳米数量级,耗尽层电荷浓度为3.13×1016cm-3。本文紫外探测器光敏特性,在偏压2V、3V光生电流可以达到毫安数量级,性能优于同等其它探测器。实验研究了不同沉积时间、不同衬底基片温度的垂直型结构的氧化锌薄膜晶体管。结果表明,在石英玻璃基片上沉积时间120min,基片不加热,得到了性能良好的薄膜晶体管静态电流-电压特性。薄膜铝栅极施加很小的偏压(<1.0V),在漏源极所加电压为3V时,漏源极电流能达到毫安数量级,阈值Vth在1.35V左右,比目前研究的顶栅结构和底栅结构阈值电压小很多,漏源电流大1到2个数量级。利用Fowler-Nordheim隧穿注入模型对载流子注入进行分析,制备的垂直结构的氧化锌薄膜晶体管是源极Ag薄膜电子经金属Ag和Zn O薄膜形成的势垒,隧穿入Zn O半导体层,隧穿电流受栅源极间电压控制。