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SOI技术是最有希望的CMOS技术之一，而作为SOI技术分支的部分耗尽SOI技术则是当前工业界的主要SOI技术，本论文从器件物理和工艺方面对部分耗尽SOI器件进行了研究，主要的工作和研究成果包括：
1)对部分耗尽SOI器件物理进行了详细的讨论和总结。分析和讨论了部分耗尽SOI器件的浮体效应以及由此带来的器件的输入特性和输出特性的变化，包括阈值电压、亚阈值特性、漏电流等，并对背栅效应、自加热现象以及热载流子效应进行了分析。详细的讨论和总结了体接触部分耗尽SOInMOS器件的直流特性，包括阈值电压、亚阈值斜率、跨导、饱和电流和关态击穿特性。
2)对部分耗尽SOI器件的设计和工艺作了研究。制定了部分耗尽SOI器件和电路所采用的工艺流程，并对关键工艺进行了详述。在工艺流片中，将形成栅所采用的氟化技术应用到对体源接触图形的改善，取得了很好的效果。详细分析了工艺参数对器件特性的影响，包括背沟道注入浓度对器件击穿特性的影响，源漏浅结对器件背栅开启的抑制，表面沟道注入能量对nMOS器件性能的影响，边缘注入对pMOS器件漏电的影响等。
3)提出并实现了一种新的方法提高部分耗尽器件的可靠性。这种方法是在沟道注入中的背沟道注入只注入器件一半的区域，靠近源区的沟道浓度高，而靠近漏区的沟道浓度低。实验结果表明相对于传统结构的部分耗尽器件而言，关态和开态的击穿特性有了很大的提高，并且对翘曲效应也有所改善。数值模拟分析表明这种器件可靠性的提高来源于漏端电场的降低以及由此导致的碰撞电离的减小。