随着科技的发展,航天、通讯、核能等各个领域,迫切的需要一种在高温、高频等环境下仍然能够正常工作的功率电子器件。在众多的半导体材料之中,SiC以其优良的物理和电学性能引起了人们的重视。SiC器件与传统的Si器件相比,具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更大的介电常数以及更高的热导率。因此,SiC器件也越来越受到人们的重视。SiC MOSFET与Si MOSFET相比,具有更小的功率损耗并且更适合应用在高压高频等场合。本文首先分析了SiC MOSFET静态特性；随后,针对其动态特性如开通速度和关断速度等,搭建了双脉冲测试平台,设计了SiC MOSFET的单管驱动电路以及模块驱动电路和退饱和过流保护电路,并且通过了仿真与实验验证。通过双脉冲测试平台进行对比实验,实验结果表明：SiC MOSFET与SiMOSFET相比,具有开关延迟时间短,开关速度快,开关损耗小等优点。针对双脉冲测试电路中开通时的电流尖峰,进行了仿真分析,并通过实验验证了分析的准确性。最后,将SiC MOSFET模块应用在隔离型DC-DC半桥变换器中,结合SiC MOSFET开关速度较快的特点,分析了主电路中母排的电流分布,并对叠层母排在Ansot Q3D中进行仿真,为优化母排的设计,提供了依据。最后分析了相同条件下SiC MOSFET模块与Si IGBT模块的开通关断时间以及损耗,从而得到SiC MOSFET其损耗更小,开关速度更快的特点,一定程度上提高了DC-DC半桥变换器的效率。