此研究是基于轴向单晶沟道辐射以及其他的单晶效应的一种特殊的正电子源。单晶靶中的这些效应会产生大量的光子，随后在无定型态靶中产生大量的正负电子对。光子和正负电子对的产生分别在两个靶中进行，两个靶之间有一定的距离以安装一个二极铁以扫除带电粒子。这样的方案称为双靶正电子源，其已经被CLIC基本线采纳。此方案与有大发射度、严重能量沉积的普通正电子源相比有巨大的优势。　　 在进行一些物理现象的回顾和讨论之后，我们使用了Strakhovenko教授的数据和Geant4对单晶沟道效应和无定型态靶中的级联簇射过程进行了详细而大量的模拟。模拟给出了正电子源中伽玛光子和正电子的主要特点和参数的完整描述：横向和纵向相空间、能谱、时间结构等等。其中的重点有二：一为靶后的捕获系统对于高的接受产额来说至关重要，二是靶中的能量沉积密度对于靶的稳定性来说是个特别重要的指标。对于捕获系统来说我们研究和比较了三种方案：使用广泛的绝热捕获系统(AMD)、四分之一波长变换器(QWT)和裡镜捕获系统。对于能量沉积以及靶加热问题来说，我们优化了能量沉积密度以降低峰值能量沉积密度(PEDD)；对于优化平均能量沉积和散热来说我们使用了一种特殊的转换装置：颗粒靶，其已经使用在中微子工厂中。颗粒靶有非常好的特性使得我们能够考虑把双靶正电子源方案作为要求极高的ILC正电子源的可选方案之一；我们研究了KEK提出的ILC正电子源束流脉冲修改方案并做了大量的计算。研究还涉及了正电子束在捕获系统后加有螺线管的预加速器中和在四极铁匹配系统中的传输。