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GaAs／AlGaAs量子阱红外探测器（QWIPs）是近二十年来迅速发展起来的一种新型红外探测器，它成功地利用了GaAs势阱和AlxGa1-xAs势垒之间的子带间吸收，使之具有能带结构可精确设计从而获得指定光谱响应的特点，加之成熟的材料生长技术、器件工艺，以及商业上可获得大面积的VLSI GaAs集成电路，使得GaAs／AlGaAs QWIPs尤其适宜制作8～12μm长波范围的大面阵探测器。 针对常规GaAs／AlGaAs量子阱红外探测器存在的光电流小、暗电流大、响应速度低等问题，沈光地教授提出了新型光电流逐级增强GaAs／AlGaAs量子阱红外探测机制。本文就是在新结构的基础上，结合此结构材料生长的难点，对新型探测器结构进行改进，制备了改进以后的新型GaAs／AlGaAs量子阱红外探测器，从理论上对改进结构进行了仔细的分析，在实验上试图验证改进后新型量子阱红外探测机制的可行性。论文主要内容概括如下： 1．简单陈述了红外基础知识和红外技术的应用，介绍了本研究课题的学术背景，并概括了相关领域内国内外研究的进展、成果以及存在的不足，逐步地提出研制新型GaAs／AlGaAs量子阱红外探测器的实际意义。 2．介绍了常规GaAs／AlGaAs量子阱红外探测器的工作机理，其中包括束缚态子带间吸收的特性和三种不同激发态位置的QWIPs，并对三者进行了比较。分析了常规GaAs／AlGaAs量子阱红外探测器由于其结构所带来的固有缺点及限制。 3．详细叙述了新型GaAs／AlGaAs量子阱红外探测器的工作原理及这种新型结构所带来的诸多优点。分析了新型GaAs／AlGaAs QWIPs的一些重要结构参数对器件的影响，并依据已有的实验数据，验证了新型光电流逐级增强量子阱红外探测机制的可行性及优越性，最后讨论了新型QWIP研制过程中所面临的一些具体困难。 4．对新型结构进行了改进，并拆分结构对每个子部分分别做了实验，试图验证这种器件结构的改进具有实用性。由于改进结构中需要加入一常规量子阱，因此针对常规结构做了部分实验，由多种测试方法得到大量实验数据，并对其进行了全面的分析，常规GaAs／AlGaAs量子阱红外探测器的研制已经逐步趋向正常化。 5．根据实际问题，对量子阱红外探测器的一些性能参数进行了计算，由计算结果得出相关结论。详细介绍了制备器件的工艺流程并绘制工艺流程图，分析了其中一些具体工艺步骤对器件性能的影响。最后，对测试方法和系统进行了说明。