SiC陶瓷磨削加工对成形精度和表面完整性有着极高要求。针对SiC陶瓷的硬脆特性,采用大粒径金刚石的单层钎焊砂轮,具有较大的容屑空间和较高的磨粒把持力,在提高加工效率和减少工具磨损方面有着巨大优势。目前,关于SiC陶瓷的磨削机理研究,一般使用单颗磨粒磨削方法,但现有的研究方法不能够真实反映实际磨削过程。本文采用单颗磨粒钎焊砂轮,表征砂轮表面实际磨粒形态,同时通过控制磨削工艺参数,模拟磨粒实际运动轨迹。在此基础上,研究磨削参数和磨粒形状对SiC磨削加工的影响,对于提高磨削表面质量,以及减少磨削损伤有着重要意义。主要内容如下:(1)基于有限元分析软件,研究裂纹扩展形式,应力应变场及温度场的分布,并建立SiC陶瓷去除方式与应力形式之间的定性关系。结合磨削力仿真结果,初步选取相关工艺参数用于单颗磨粒磨削试验。(2)设计和制作单颗磨粒砂轮装置,开展单颗磨粒磨削试验。对比分析磨削速度和单颗磨粒最大切厚对SiC磨削加工的影响。测量磨削力并计算磨削比能,观测磨痕表面形貌和亚表面损伤。(3)基于“最小二乘法”,拟合计算金刚石磨粒刃圆半径。对比分析刃圆半径变化对SiC磨削加工的影响。研究刃圆半径与实际磨削前角之间的关系,及其对脆延转变的影响。(4)基于磨粒磨损不同形式,建立SiC陶瓷材料累积去除量与金刚石磨粒磨损量之间的定量关系。研究磨粒磨损对磨痕表面质量和磨削力的影响。