SiC/ZnO纳米颗粒薄膜的微观结构及其光致发光性能

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【摘要】

：

在发光器件领域,SiC被认为是替代Si的理想材料,SiC量子点由于量子限制效应而导致的独特光电性能倍受人们的青睐。本文采用交替磁控溅射和后续在N2的保护下进行退火处理的方法制备了SiC量子点分散在ZnO基体中的半导体纳米颗粒膜,系统研究了不同溅射工艺和退火温度、时间对SiC/ZnO纳米颗粒膜微观结构和光致发光性能的影响。根据XRD分析,在750℃以下退火,ZnO基体的结晶性能随着退火温度的提高而得

【作者】

：

郑越

【机构】

：

天津大学

【发表日期】

：

2007年06期

【关键词】

：

发光器件 SiC/ZnO纳米颗粒薄膜微观结构深能级复合发光

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