本文采用中频反应磁控溅射技术于较低温度下在玻璃基底上生长了TiO2纳米薄膜,并采用新颖的激光辐照后处理方法,有效改善薄膜结晶质量和光电性质。通过改变沉积过程中Ar：O2比、基底温度和沉积时间等工艺参数,制备不同结构和性能的TiO2纳米薄膜。通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)以及X射线能量色散仪(EDS)等方法,分别研究分析不同制备条件下生长的TiO2纳米薄膜的表面形貌、晶体结构、组成等；同时研究了不同TiO2纳米薄膜的光学电学性质,包括光吸收特性、光催化性以及霍尔效应等。系统分析制备条件对薄膜结构性能的影响规律,优化工艺参数。激光辐照处理具有局域快速加热、能量密度高、样品热暴露少、能耗低、可控性强、对薄膜基底影响和损伤小等特点,研究激光辐照处理对薄膜结构和光电性质的作用效应,筛选辐照参数,通过激光辐照处理获得低温沉积高质量TiO2纳米薄膜。为开发低温生长TiO2薄膜光学电学性质应用、以及低温沉积柔性基底氧化物半导体薄膜提供指导和依据。